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三种小信号模型及跨导详解-KIA MOS管
举个例子，比如输入的栅源信号是Vgs+VGS，分析小信号时，只看Vgs，这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS（直流信号）求偏导后乘以Vgs，这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos，常见的跨导有三类：gm、gds、gmb。www.kiaic.com/article/detail/3958.html 2022-12-08
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图文分析MOS管小信号模型-KIA MOS管
在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数,即为一个压控电流源，电流值为，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图所示。www.kiaic.com/article/detail/3957.html 2022-12-08
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晶体管-自举放大器电路分析-KIA MOS管
放大器是电子产品的组成部分，用于放大低幅度信号。放大器在增强信号方面起着非常重要的作用，特别是在音频和电力电子方面。www.kiaic.com/article/detail/3956.html 2022-12-07
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图文详解：MOSFET和BJT之间的区别-KIA MOS管
场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)是两种封装形式各异的晶体管，虽然MOSFET和BJT都是晶体管，但它们的工作方式不同，表现出不同的行为，因此它们的使用方式不同。www.kiaic.com/article/detail/3955.html 2022-12-07
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MOSFET放大器电路、工作原理及过程-KIA MOS管
MOSFET放大器简单电路图如下图所示，在该电路中，漏极电压 (VD)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 以及栅极、源极和漏极的位置通过字母“G”、“S”和“ D”。www.kiaic.com/article/detail/3954.html 2022-12-07
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MOSFET放大器共源极、共栅极、共漏极三种类型-KIA MOS管
共源放大器可以定义为当 i/p信号在栅极 (G) 和源 (S) 的两端给出时，o/p电压可以通过漏极内负载处的电阻器放大和获得。在此配置中，源端子充当i/p和o/p之间的公共端子。www.kiaic.com/article/detail/3952.html 2022-12-06
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判断MOS管共源极放大器、共栅极放大器-KIA MOS管
因为放大器有输入和输出两个端口，会占用MOSFET其中两个极，剩下那个极接地或电源，作为参考电极。www.kiaic.com/article/detail/3951.html 2022-12-06
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共源共栅级的小信号增益、放大过程-KIA MOS管
共栅级的栅极电压为 V b ，是固定电位。在源级输入电压发生变化时，直接改变了共栅管的过驱动电压，产生了对应的漏电流，可以看到共栅级的放大能力是源于共栅管的跨导。www.kiaic.com/article/detail/3950.html 2022-12-06
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详解运放的信号增益和噪声增益-KIA MOS管
两个开关都拨到上面的时候称为CASE1，都拨到下面的时候称为CASE2。这也就是我们平时所说的同相放大电路和反向放大电路。www.kiaic.com/article/detail/3949.html 2022-12-05
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图文分析大信号与小信号的区别和关系-KIA MOS管
以Idvd曲线为例，对于MOS管来说，大信号所体现的特性是直流的静态工作点。那么其直流阻抗就是V/I=b/a。www.kiaic.com/article/detail/3948.html 2022-12-05
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射频功率放大器调试步骤分享-KIA MOS管
这一步主要是确定板子和管子的基本状态是否正常，首先利用万用表测量一下功放栅极对地、漏极对地的电阻是否正常，确定管子是否损坏；再检查一下电路板的状态，有无虚焊，短路，装配功放管时接地是否做到最好等等。www.kiaic.com/article/detail/3947.html 2022-12-05
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TOLL封装布局缩减30% 80V/240A KCT1808A-KIA MOS管
KIA半导体近期推出了几款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。www.kiaic.com/article/detail/3946.html 2022-12-02
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MOSFET放大器的等效模型、工作区间、偏置-KIA MOS管
截止区：iDS为0，Vo恒为Vs。饱和区：对应电流源模型，Vo随Vin快速变化。线性区：对应电阻模型，Vo随Vin缓慢变化。www.kiaic.com/article/detail/3945.html 2022-12-02
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开关瞬态阶段SiC MOSFET建模分析-KIA MOS管
图 1 显示了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模过程，该过程基于电感钳位电路，该电路具有很少的关键寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生参数对 SiC MOSFET 的特性有很大影响，因此在建模时应给予重要考虑。www.kiaic.com/article/detail/3944.html 2022-12-02